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臺(tái)積電創(chuàng)始人指出三星和英特爾跌倒的核心原因

作者:admin   發(fā)布時(shí)間:2025-02-19 11:20:20   點(diǎn)擊量:

臺(tái)積電創(chuàng)始人近日指出,三星和英特爾在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)跌倒的核心原因主要與其戰(zhàn)略失誤和技術(shù)落后有關(guān)。根據(jù)他的分析,臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2025年前繼續(xù)主導(dǎo)7nm以下的代工市場(chǎng),尤其是在快速發(fā)展的AI芯片領(lǐng)域。盡管當(dāng)前面臨美中禁令和市場(chǎng)需求低迷的挑戰(zhàn),臺(tái)積電依然展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)韌性。

臺(tái)積電

 

與之形成鮮明對(duì)比的是,三星和英特爾在代工業(yè)務(wù)上正陷入困境,市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將降至10%以下。這一趨勢(shì)不僅反映了他們?cè)诩夹g(shù)創(chuàng)新上的滯后,也揭示了其在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中的脆弱性。臺(tái)積電的3nm和5nm工藝的高利用率,進(jìn)一步鞏固了其市場(chǎng)地位,尤其是在11月的收入保持穩(wěn)定,顯示出其強(qiáng)大的盈利能力。

 

英特爾目前面臨著缺乏清晰戰(zhàn)略和有效領(lǐng)導(dǎo)力的雙重挑戰(zhàn),這使得其在競(jìng)爭(zhēng)中處于劣勢(shì)。而三星則在技術(shù)上顯得相對(duì)落后,未能及時(shí)跟上行業(yè)發(fā)展的步伐。臺(tái)積電通過(guò)提高技術(shù)和資本投資的門(mén)檻,有效地消除了潛在的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,進(jìn)一步鞏固了自身的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。此外,臺(tái)積電的美國(guó)客戶(hù)占其收入的70%以上,這一比例使其在市場(chǎng)中擁有了顯著的杠桿優(yōu)勢(shì),能夠更好地應(yīng)對(duì)外部環(huán)境的變化。


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